Началось производство 12-Гбит чипов Самсунг – как раз к Galaxy Note 10

Новости. » » Началось производство 12-Гбит чипов Самсунг – как раз к Galaxy Note 10

Компания Самсунг объявила о начале серийного выпуска микросхем памяти LPDDR5 DRAM плотностью 12 Гбит.

Беря во внимание растущий спрос на компоненты с не менее высокой производительностью для телефонов со стороны разработчиков премиальных мобильных устройств, в конце июля Самсунг также хочет начать массовое производство 12-гигабитных планок памяти LPDDR5, каждая из которых будет объединять 8 чипов.

Ежели сравнивать новейшую память с прошлыми микросхемами LPDDR4X, выигрыш в производительности доходит 1,3 раза.

По данным компании, новая 12-гигабайтная мобильная DRAM LPDDR5 была оптимизирована для функций 5G и AI в «будущих смартфонах». Как и текущее поколение ОЗУ LPDDR4X, новые модули памяти построены на 10-нанометровом чипе Самсунг 2-го поколения.

Декларируется, что решение LPDDR5 предлагает скорость передачи данных 5500 Мбит/с, что в 1,3 раза скорее той скорости, которой владеют модули LPDDR4X.

Восемь таковых чипов в одной планке на 12 Гб дозволят смартфонам с поддержкой 5G передавать 44 ГБ данных за одну секунду.

Для оптимизации производственных мощностей Самсунг хочет перенести производство собственных 12 Гбит LPDDR5 чипов на завод в Пхёнтхэке (Корея), начиная с 2016 года, зависимо от спроса со стороны клиентов. В 2016 году фирма планирует создать 16-гигабайтный LPDDR5, чтобы сохранить свои конкурентные преимущества на мировом рынке памяти.

Samsung начала производить микросхемы памяти LPDDR5 на 12 Гбит для смартфонов