Самсунг начинает выпускать новые чипы памяти DDR4 DRAM по 10-нм техпроцессу

Новости. » » Самсунг начинает выпускать новые чипы памяти DDR4 DRAM по 10-нм техпроцессу

Компания Самсунг Electronics объявила о начале массового производства первых в мире микросхем памяти DDR4 DRAM, изготавливаемых по техпроцессу 10-нм класса (1y-nm) 2-го поколения. Эти чипы станут основанием будущих DDR4-планок компании.

Ежели сравнивать новейшую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Самсунг по технологии 10-нанометрового класса первого поколения (1x нм), выигрыш в производительности доходит 10%, в энергетической эффективности — 15%.

8-гигабитная DDR4-память может обрабатывать до 3600 мегабит информации за секунду.

Фирма планирует ускорить вывод на рынок чипов памяти следующего поколения, а именно DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6, которые будут использоваться в серверном оборудовании, высокопроизводительных системах, суперкомпьютерах, мобильных устройствах и графических ускорителях.

Согласно пресс-релизу, Самсунг уже завершила процесс проверки совместимости модулей памяти на базе новых чипов с процессорами.

Согласно информации экспертов DRAMeXchange, на фоне сохраняющегося дефицита оперативной памяти и ограниченного роста поставок чипов, стоимость разнообразных видов DRAM-продукции в июле-сентябре нынешнего года поднялась в среднем на 5% относительно предшествующей четверти.

Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Поделиться с друзьями!

<<
>>



Интересные новости и статьи:


Последние публикации: